型号:

DDTC115EE-7-F

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
DDTC115EE-7-F PDF
产品变化通告 Encapsulate Change 09/July/2007
产品目录绘图 SOT-523 Side
SOT-523 Top
DDTC, DDTD Series Circuit
标准包装 3,000
系列 -
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 20mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 100k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) 100k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 82 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率 - 转换 250MHz
功率 - 最大 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-523
供应商设备封装 SOT-523
包装 带卷 (TR)
其它名称 DDTC115EE-FDITR
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